15 июля 2021

Объявление

21 июля (среда) в 15.00 состоится совместный семинар НТЦ Микроэлектроники РАН и лаборатории Физики Полупроводниковых Гетероструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе:

Тема: "Модификация вероятности спонтанной эмиссии в плазмонных, органических и полупроводниковых наноструктурах".
(по материалам кандидатской диссертации по специальности 01.04.07 - Физика конденсированного состояния)

Докладчик: Белоновский А.В., инженер, СПбАУ РАН им. Ж.И. Алфёрова.

Семинар будет проводиться в очно-дистанционном режиме в комнате 602 корп. Микроэлектроники блок Б и в виде онлайн-конференции на платформе Zoom.

Для получения доступа необходимо прислать письмо на адрес s.usov@mail.ioffe.ru.

21 июня 2021

Выборы директора. Голосование.

Учёный совет решением от 18 июня 2021 г., протокол №5, утвердил дату проведения выборов директора Федерального государственного бюджетного учреждения науки Научно-технологического центра микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук – 30 июня 2021 года.

Время (интервал) проведения голосования с 11:15 по 17:15.

Место голосования (регистрация бюллетеней):

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук (гор. С-Петербург, Политехническая улица, дом №26, литера З), этаж 6-ой, помещение №608.

15 июня 2021

Выборы Директора

Распоряжением Минобрнауки России от 08 июня 2021 года №190-р «Об утверждении кандидатур на должности руководителей научных организаций, подведомственных Министерству науки и высшего образования Российской Федерации» утверждены кандидатуры на должность директора Федерального государственного бюджетного учреждения науки Научно-технологического центра микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук:

Устинов Виктор Михайлович;

Цацульников Андрей Фёдорович.

Подробная информация

27 мая 2021

Премия Правительства Санкт-Петербурга

В целях сохранения и дальнейшего развития научного потенциала Санкт-Петербурга, стимулирования научно-технического развития и поощрения выдающихся ученых, работающих в научных организациях или образовательных организациях высшего образования, расположенных на территории Санкт-Петербурга, постановлением Правительства Санкт-Петербурга от 21.11.2005 №1788 «О премиях Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся научные результаты в области науки и техники» было учреждено двадцать ежегодных премий Правительства Санкт-Петербурга. 27 мая 2021 года в Актовом зале Смольного прошла торжественная церемония награждения учёных, удостоенных в 2021 году премии Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся результаты в области науки и техники.

Среди награжденных директор Федерального государственного бюджетного учреждения науки Научно-технологического центра микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, член-корреспондент РАН, УСТИНОВ Виктор Михайлович.

Губернатор Санкт-Петербурга Александр Беглов вручил ему диплом о награждении Правительством Санкт-Петербурга премией имени Ж.И. Алфёрова в области нанотехнологий за 2021 год и памятную медаль.

Фото галерея

7 мая 2021

С Днем Победы

Уважаемые коллеги!
9 мая мы отмечаем 76 годовщину победы в Великой Отечественной войне – День Победы!
Это день славы, гордости нашего народа, день наивысшего почитания поколения победителей.
Это день священной памяти о тех, кто сложил свою голову на полях сражений и отдал жизнь в борьбе с фашизмом.
Мужество, стойкость и самоотверженность поколения победителей живет в нашей памяти и сегодня является примером для всех нас.
Поздравляем всех работников и их близких с Днём Победы, желаем крепкого здоровья, бодрости духа и благополучия!

7 апреля 2021

Лидеры России

31 марта 2021 года началась регистрация на четвёртый конкурс «Лидеры России» - флагманский проект президентской платформы «Россия - страна возможностей».

19 марта 2021

Поздравления НТЦ микроэлектроники РАН

Поздравительный адрес
от Отделения нанотехнологий и информационных технологий Российской академии наук
академика РАН Красникова Геннадия Яковлевича.

9 марта 2021

Поздравления НТЦ микроэлектроники РАН

Поздравительный адрес
от Председателя Комитета по науке и высшей школе Правительства
Санкт-Петербурга Максимова Андрея Станиславовича.

9 марта 2021

Юбилей НТЦ микроэлектроники РАН

В марте 2021 года исполняется 30 лет со дня основания Федерального государственного бюджетного учреждения науки Научно-технологического центра микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук.

8 февраля 2021

С Днём Российской Науки!

29 декабря 2020

С Новым Годом!

14 декабря 2020

Объявление

22 декабря (вторник) в 14.00 состоится защита кандидатской диссертации на заседании диссертационного совета У.03.01.02 федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого».

Тема: "Создание динамически управляемых светодиодных источников света для задач прикладной биофизики".
(специальность 03.01.02 Биофизика)

Докладчик: Аладов А. В., с.н.с., НТЦ Микроэлектроники РАН.

Место проведения: г. Санкт-Петербург, ул. Хлопина 11, корп. 1, Высшая школа биомедицинских систем и технологий, ауд. 209

Защита будет проходить в дистанционном режиме в виде онлайн-конференции на платформе Zoom.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке и на сайте https://www.spbstu.ru/dsb/07b6-thesis.pdf ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого».

7 декабря 2020

Объявление

10 декабря (четверг) в 16.00 состоится совместный семинар НТЦ Микроэлектроники РАН и лаборатории полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей ФТИ им. А.Ф. Иоффе:

Тема: "Модификация характеристик полупроводниковых структур и лазеров на их основе методом прямой ионно-лучевой литографии".
(по материалам кандидатской диссертации по специальности 01.04.07 - Физика конденсированного состояния)

Докладчик: Вознюк Г.В., м.н.с., ФТИ им. А.Ф. Иоффе.

Семинар будет проводиться в дистанционном режиме в виде онлайн-конференции на платформе Zoom.

Для получения доступа необходимо прислать письмо на адрес s.usov@mail.ioffe.ru.

3 декабря 2020

Объявление

9 декабря (среда) в 15.00 состоится семинар НТЦ Микроэлектроники РАН:

Тема: "Исследование омических контактов к легированным наногетероструктурам GaAs, InGaAs для полевых и гетеробиполярных СВЧ-транзисторов".
(по материалам кандидатской диссертации по специальности 05.27.01 - "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах")

Докладчик: Неженцев А.В., инженер, Кафедра квантовой физики и наноэлектроники, НИУ "МИЭТ".

Семинар будет проводиться в дистанционном режиме в виде онлайн-конференции на платформе Zoom.

Для получения доступа необходимо прислать письмо на адрес s.usov@mail.ioffe.ru.

20 октября 2020

Объявление

28 октября (среда) в 15.00 состоится семинар НТЦ Микроэлектроники РАН:

Тема: "Моделирование состава и кристаллической структуры нитевидных нанокристаллов тройных соединений III-V".
(по материалам кандидатской диссертации по специальности 01.04.07 - Физика конденсированного состояния)

Докладчик: Лещенко Е. Д., ассистент факультета лазерной фотоники и оптоэлектроники, Университет ИТМО.

Место проведения: комната 604, корпус Микроэлектроники, блок Б.

Для участия онлайн необходимо прислать письмо на адрес s.usov@mail.ioffe.ru.

22 сентября 2020

Система Менеджмента Качества

В НТЦ микроэлектроники РАН установлена политика и цели организации в области качества, разработана и внедрена документированная система менеджмента качества (СМК) как средство, обеспечивающее соответствие продукции установленным требованиям и способствующее постоянному повышению ее качества.
Органом по сертификации Автономная некоммерческая организация «Институт испытаний и сертификации вооружения и военной техники» (АНО «ИнИС ВВТ») был проведен аудит системы менеджмента качества организации по результатам которого был выдан сертификат соответствия требованиям ГОСТ Р ИСО 9001-2015 и ГОСТ РВ 0015-002-2012 в Системе добровольной сертификации «Военный стандарт» в области исследования, разработки и производства эпитаксиальных структур и полупроводниковых приборов в соответствии с кодами ЕК 001-2020 5850, 5860, 5915, 5961, 5963, 5980, 5996, 6032, 6035, 6230, 6625, 6640, 6650, 7010, 7025, 7042, 9810.

23 июня 2020

Объявление

29 июня (понедельник) в 14.00 состоится семинар НТЦ Микроэлектроники РАН:

Тема: "Создание динамически управляемых светодиодных источников света для задач прикладной биофизики".
(по материалам кандидатской диссертации по специальности 03.01.02 Биофизика)

Докладчик: Аладов А. В., с.н.с., НТЦ Микроэлектроники РАН.

Место проведения: комната 604, корпус Микроэлектроники, блок Б.

9 мая 2020

Поздравление с 9 мая!

«Уважаемые ветераны, труженики тыла и дети войны! Дорогие друзья! Поздравляем вас с 75-летием Победы в Великой Отечественной войне! Указом Президента Российской Федерации от 8 июля 2019 г. №327 2020 год объявлен Годом памяти и славы

28 января 2020

Объявление

30 января (четверг) в 15.00 состоится совместный семинар НТЦ Микроэлектроники и Лаборатории Физики Полупроводниковых Гетероструктур:

Тема: "Синтез полупроводниковых нитевидных нанокристаллов и создание композитных материалов с использованием коллоидных наночастиц металлов".
(по материалам кандидатской диссертации по специальности 01.04.10 «Физика полупроводников»)

Докладчик: Илькив И. В., м.н.с., лаб. Наноэлектроники, СПбАУ РАН.

Место проведения: комната 604, корпус Микроэлектроники, блок Б.

27 января 2020

Поздравление

27 января – День полного освобождения Ленинграда от фашистской блокады (1944 год).
Дорогие ветераны! Примите сердечные поздравления с важнейшей датой в исторической летописи нашей страны.
Мы низко кланяемся вам, дорогие ветераны, за то, что вы подарили нам возможность мирно жить и трудиться в сильной, свободной и независимой стране.

27 января 1944 года Ленинград салютовал 24 залпами из 324 орудий в честь полной ликвидации вражеской блокады - разгрома немцев под Ленинградом.

Городу-герою

Я прохожу по улицам твоим,
Где каждый камень — памятник героям.
Вот на фасаде надпись: «Отстоим!»
А сверху «р» добавлено: «Отстроим!»
С. Маршак