ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ
НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И
СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Год Науки 2021
Национальный проект Наука и университеты
EN / RU ОНИТ РАН

Достижения за 2022

23 мая 2023 года на Общем собрании Российской академии наук Президентом РАН Геннадием Яковлевичем Красниковым была отмечена в числе достижений 2022 года работа коллектива НТЦ микроэлектроники РАН под руководством доктора физ.-мат. наук Цацульникова Андрея Федоровича (Заварин Е.Е., Лундин В.В., Николаев А.Е., Сахаров А.В.) по теме:


«Технология эпитаксиального роста гетероструктур на основе нитрида галлия для транзисторов и светодиодов на подложках кремния диаметром до 150 мм»


Возврат к списку